|
|
Datasheet FDS86106 Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | FDS86106 | MOSFET ( Transistor ) FDS86106 N-Channel Power Trench® MOSFET
July 2011
FDS86106
N-Channel Power Trench® MOSFET
100 V, 3.4 A, 105 mΩ
Features
General Description
Max rDS(on) = 105 mΩ at VGS = 10 V, ID = 3.4 A Max rDS(on) = 171 mΩ at VGS = 6 V, ID = 2.7 A High performance trench technology for extremely |
Fairchild Semiconductor |
FDS86 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
FDS8672S | N-Channel MOSFET |
Fairchild Semiconductor |
|
FDS86242 | N-Channel PowerTrench MOSFET |
Fairchild Semiconductor |
|
FDS8690 | N-Channel PowerTrench MOSFET |
Fairchild Semiconductor |
Esta página es del resultado de búsqueda del FDS86106. Si pulsa el resultado de búsqueda de FDS86106 se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Sitemap |