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FGL60N100BNTD 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Npt-trench Igbt의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
1 | FGL60N100BNTD | NPT-Trench IGBT FGL60N100BNTD — 1000 V, 60 A NPT Trench IGBT FGL60N100BNTD 1000 V, 60 A NPT Trench IGBT Features • High Speed Switching • Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 2.5 V @ IC = 60 A • High Input Impedance • Built-in Fast Recovery Diode Applications • UPS |
Fairchild Semiconductor |
관련 키워드 검색 결과 ( FGL60N100, 60100 ) |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 | |
FGL60N100D | Electrical Characteristics of IGBT FGL60N100D IGBT FGL60N100D General Description Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) with trench gate structure have superior performance in conduction and switching to planar gate structure, and also have wide noise immunity. These devices are well suitable for IH applicat |
Fairchild Semiconductor |
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TPSV227x0160100 | Low ESR ( DataSheet : ) TPS Series Low ESR TPS surface mount pr oducts have inherently low ESR (equivalent series r esistance) and ar e capable of higher ripple curr ent handling, producing lower ripple voltages, less power and heat dissipation than standard product |
AVX |
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TPSE227x0160100 | Low ESR |
AVX |
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TPSE157x0160100 | Low ESR |
AVX |
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