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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
1 | FQPF6N80CT | 800V N-Channel MOSFET FQP6N80C / FQPF6N80C — N-Channel QFET® MOSFET FQP6N80C / FQPF6N80C N-Channel QFET® MOSFET 800 V, 5.5 A, 2.5 Ω December 2013 Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar strip |
Fairchild Semiconductor |
관련 키워드 검색 결과 ( FQPF6N80, 680 ) |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 | |
FQPF6N80 | 800V N-Channel MOSFET FQPF6N80 September 2000 QFET FQPF6N80 800V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to |
Fairchild Semiconductor |
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FQPF6N80C | 800V N-Channel MOSFET FQP6N80C / FQPF6N80C — N-Channel QFET® MOSFET December 2013 FQP6N80C / FQPF6N80C N-Channel QFET® MOSFET 800 V, 5.5 A, 2.5 Ω Description Features This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS |
Fairchild Semiconductor |
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0805CS-680E | WIRE-WOUND CHIP INDUCTOR 1. Part Description 1.1 Part Numbering (Example) ( Ex. ) 0805 C S - 120 E J T S SIZE. 0402 1.0 * 0.5 mm 0603 1.6 * 0.8 mm 0805 2.0 * 1.2 mm 1008 2.5 * 2.0 mm 1206 3.2 * 1.6 mm 1210 3.2 * 2.5 mm SHAPE. C : C SHAPE H : H SHAPE M : MOLDING PROFILE. S: STANDARD T: LOW PROFILE Q:H |
DELTA |
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10D680K | VARISTOR SPECIFICATIONS PRODUCT: TYPE: MODEL: CITATION: REVISION: TOTAL PAGES: RELEASED DATE: VARISTOR GNR10D□□□K B01 5 Oct. 13, 2001 PAGE:1/5 REVISION HISTORY NO 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 REV. DATE Oct. 13, 2001 DCR NO. DESCRIPTION OF CHANGE NEW RELEASE REV. B01 |
Ceramate Technical |
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