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FQU1N60 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 600v N-channel Mosfet의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
4 | FQU1N60 | 600V N-Channel MOSFET FQD1N60 / FQU1N60 April 2000 QFET FQD1N60 / FQU1N60 600V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technolo |
Fairchild Semiconductor |
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3 | FQU1N60C | N-Channel MOSFET 1.3A, 600V, N沟道 场效应晶体管 产品参数规格书 工业型号 公司型号 通俗命名 H FQU1N60C FQD1N60C H1N60U H1N60D 1N60 HAOHAI 封装标识 U: TO-251 D: TO-252 1N60 Series N-Channel MOSFET 包装方式 每管数量 每盒数量 |
HAOHAI |
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2 | FQU1N60C | 600V N-Channel MOSFET FQD1N60C / FQU1N60C FQD1N60C / FQU1N60C 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect • 1A, 600V, RDS(on) = 11.5Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 4.8nC) transistors are produced using Cori |
Kersemi Electronic |
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1 | FQU1N60C | 600V N-Channel MOSFET FQD1N60C / FQU1N60C QFET FQD1N60C / FQU1N60C 600V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancem ent m ode power f ield ef fect transistors ar e prod uced using F airchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technolog |
Fairchild Semiconductor |
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