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GEMBR2070T 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 (gembr2070t - Gembr20150t) Schottky Barrier의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
1 | GEMBR2070T | (GEMBR2070T - GEMBR20150T) SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS ISSUED DATE :2005/08/01 REVISED DATE :2006/12/21C G EM B R 2 0 7 0 CT ~ 2 0 1 50 C T SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS R E V E R S E V O L T A G E 7 0 V T O 1 5 0 V, C U R R E N T 2 0 A The GEMBR2070CT~20150CT are designed for use in low voltage, high frequency inv |
GTM CORPORATION |
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 | |
GEMBR2070CT | (GEMBR2070CT - GEMBR20150CT) SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS ISSUED DATE :2005/08/01 REVISED DATE :2006/12/21C G EM B R 2 0 7 0 CT ~ 2 0 1 50 C T SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS R E V E R S E V O L T A G E 7 0 V T O 1 5 0 V, C U R R E N T 2 0 A The GEMBR2070CT~20150CT are designed for use in low voltage, high frequency inv |
GTM |
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2SA2070 | Silicon PNP Epitaxial Type Transistor TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type 2SA2070 High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications 2SA2070 Unit: mm • High DC current gain: hFE = 200 to 500 (IC = -0.1 A) • Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) =- 0.20 V (max) • High-speed |
Toshiba Semiconductor |
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WCM2070 | MOSFET ( Transistor ) WCM2070 N- and P-Channel Complementary, 12V,MOSFET N-Channel P-Channel VDS (V) 12 -12 Typical RDS(on) (Ω) 0.028@ VGS=4.5V 0.035@ VGS=2.5V 0.046@ VGS=1.8V 0.057@VGS=- 4.5V 0.087@VGS= -2.5V 0.140@VGS= -1.8V Descriptions The WCM2070 is the N-Channel and P-Channel enhancement M |
WillSEMI |
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AT-42070 | Up to 6 GHz Medium Power Silicon Bipolar Transistor Up to 6 GHz Medium Power Silicon Bipolar Transistor Technical Data AT-42070 Features • High Output Power: 21.0 dBm Typical P1 dB at 2.0␣ GHz 20.5 dBm Typical P1 dB at 4.0␣ GHz • High Gain at 1 dB Compression: 15.0 dB Typical G1 dB at 2.0␣ GHz 10.0 dB Typical G1 dB at 4 |
Agilent(Hewlett-Packard) |
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