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GIB10B60KD1 데이터시트 PDF ( Data sheet )

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번호 부품번호 상세설명 및 전자부품 기능 제조사 PDF
1 GIB10B60KD1   IRGIB10B60KD1

www.DataSheet.co.kr PD-94576A IRGIB10B60KD1 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasof

International Rectifier
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관련 키워드 검색 결과 ( GIB10B60KD1, 10601 )

부품번호 상세설명 및 기능 제조사 PDF
ASI10601   NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

HF8-28S NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI HF8-28S is Designed for PACKAGE STYLE .380 4L STUD FEATURES: • PG = 21 dB min. at 8 W/30 MHz • IMD3 = -30 dBc max. at 8 W (PEP) • Omnigold™ Metalization System .112x45° A B C E ØC E B H I J MAXIMUM RATING

Advanced Semiconductor
Advanced Semiconductor
Advanced Semiconductor 데이터시트 pdf
LBT10601   SAW Filter

China Electronics Technology Group Corporation No.26 Research Institute 106.8MHz SAW Filter 8.1MHz Bandwidth Part Number: LBT10601 www.sipatsaw.com SIPAT Co., Ltd. Specifications Parameter Center Frequency Insertion Loss 3 dB Bandwidth Unit MHz dB MHz MHz

SIPAT
SIPAT
SIPAT 데이터시트 pdf
UM10601   LPC800 User manual

D R A FT D R A FT D R A FT D R A FT D R A FT UM10601 LPC800 User manual Rev. 1.0 — 7 November 2012 D D Preliminary user manual D D R R A A FT FT D D R A FT D D R A FT D R A FT D R A R A FT R A FT D R A FT D R A F R A FT D FT D R A D A FT D R A R FT R Document inf

NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors 데이터시트 pdf
PTFA210601E   Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET

PTFA210601E PTFA210601F Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 60 W, 2110 – 2170 MHz Description The PTFA210601E and PTFA210601F are 60-watt LDMOS FETs designed for single- and two-carrier WCDMA power amplifier applications in the 2110 to 2170 MHz band. Features include

Infineon
Infineon
Infineon 데이터시트 pdf



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