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GLT440L16 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 256k X 16 Cmos DynamIC의 기능을 가지고 있습니다.


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번호 부품번호 상세설명 및 전자부품 기능 제조사 PDF
1 GLT440L16   256K X 16 CMOS DYNAMIC RAM

G -LINK GLT440L16 256K X 16 CMOS DYNAMIC RAM WITH EXTENDED DATA OUTPUT Aug. 2000 (Rev.1.1) Features : ∗ ∗ ∗ ∗ ∗ ∗ ∗ ∗ ∗ ∗ 262,144 words by 16 bits organization. Fast access time and cycle time. Dual CAS Input. Low pow

G-Link
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관련 키워드 검색 결과 ( GLT440L16, 44016 )

부품번호 상세설명 및 기능 제조사 PDF
TF44016C   Fast Switching Thyristor

TF440..C TF440..C Fast Switching Thyristor Replaces March 1998 version, DS4272- 2.3 DS4272-3.0 January 2000 APPLICATIONS s High Power Inverters And Choppers s UPS s Railway Traction s Induction Heating s AC Motor Drives s Cycloconverters KEY PARAMETERS VDRM 2000V IT(RMS) 400A

Dynex Semiconductor
Dynex Semiconductor
Dynex Semiconductor 데이터시트 pdf
UPD444016L   4M-BIT CMOS FAST SRAM 256K-WORD BY 16-BIT

DATA SHEET MOS INTEGRATED CIRCUIT µPD444016L 4M-BIT CMOS FAST SRAM 256K-WORD BY 16-BIT Description The µPD444016L is a high speed, low power, 4,194,304 bits (262,144 words by 16 bits) CMOS static RAM. Operating supply voltage is 3.3 V ± 0.3 V. The µPD444016L is packaged i

NEC
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NEC 데이터시트 pdf
UPD444016-Y   4M-BIT CMOS FAST SRAM 256K-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION

PRELIMINARY DATA SHEET MOS INTEGRATED CIRCUIT µPD444016-Y 4M-BIT CMOS FAST SRAM 256K-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION Description The µPD444016-Y is a high speed, low power, 4,194,304 bits (262,144 words by 16 bits) CMOS static RAM. Operating supply voltage is

NEC
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NEC 데이터시트 pdf
UPD444016   4M-BIT CMOS FAST SRAM 256K-WORD BY 16-BIT

DATA SHEET MOS INTEGRATED CIRCUIT µPD444016 4M-BIT CMOS FAST SRAM 256K-WORD BY 16-BIT Description The µPD444016 is a high speed, low power, 4,194,304 bits (262,144 words by 16 bits) CMOS static RAM. Operating supply voltage is 5.0 V ± 0.5 V. The µPD444016 is packaged in 4

NEC
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