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GS358 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Dual Operational Amplifiers의 기능을 가지고 있습니다. |
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검색 결과 목록
| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
| 1 | GS358 | Dual Operational Amplifiers Dual Operational Amplifiers JAN. 2010 Product Description The GS358 consists of two independent, high gain, internally frequency compensated operational amplifiers which were designed specifically to operate from a single power supply over a wide range of vol |
 Globaltech |
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관련 키워드 검색 결과 ( GS358, 358 ) |
| 부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 | |
| PA75358CP | SILICON MONOLITHIC (DUAL POERATIONAL AMPLIFIER) |
 Toshiba Semiconductor |
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| PC358 | Mini-Flat Package/High Collector-emitter Voltage Type Photocoupler PC356NT/PC358 PC356NT/PC358 s Features 1. High collector-emitter voltage ( PC358 •••VCEO : 120V, PC356NT •••VCEO : 80V ) 2. Opaque type, mini-flat package PC356NT / PC358 ( 1-channel ) 3. Subminiature type ( The volume is smaller than that of our ) conventional DIP t |
 Sharp Electrionic Components |
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| MTC3588N6 | P- & N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C102N6 Issued Date : 2015.08.13 Revised Date : Page No. : 1/12 N- And P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTC3588N6 BVDSS N-CH 14V ID @ TA=25 °C 5.4A(VGS=4.5V) 17.6mΩ(VGS=4.5V) RDSON(TYP.) 24.7mΩ(VGS=2.5V) 39.5mΩ(VGS=1.8V) 67 |
 CYStech Electronics |
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| MTC3587DL8 | P- & N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C093L8 Issued Date : 2016.09.30 Revised Date : Page No. : 1/13 N- and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTC3587DL8 BVDSS ID @ TA=25°C Features • Simple drive requirement • Low gate charge • Low on-resistance RDSON(TYP.) |
CYStech Electronics |
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