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Datasheet GT50N324 Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | GT50N324 | silicon N-channel IGBT GT50N324
東芝伝導度変調型電界効果トランジスタ シリコンNチャネルIGBT
GT50N324
○ 電圧共振インバータスイッチング用 ○ 第 6 世代
単位: mm
• 高速 FRD を内蔵しています。
• 取り扱いが簡単なエンハンスメントタイプです� |
Toshiba |
GT50N Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
GT50N322A | Insulated Gate Bipolar Transistor |
Toshiba Semiconductor |
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GT50N321 | Insulated Gate Bipolar Transistor |
Toshiba Semiconductor |
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GT50N324 | silicon N-channel IGBT |
Toshiba |
Esta página es del resultado de búsqueda del GT50N324. Si pulsa el resultado de búsqueda de GT50N324 se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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