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H7P0601DS 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 SilICon P Channel Mos Fet의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
1 | H7P0601DS | Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching H7P0601DL, H7P0601DS Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching REJ03G0044-0100Z Rev.1.00 Aug.05.2003 Features • Low on-resistance RDS(on) = 40 mΩ typ. • Low drive current • 4.5 V gate drive device can driven from 5 V sou |
Renesas Technology |
관련 키워드 검색 결과 ( H7P0601, 70601 ) |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 | |
H7P0601DL | Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching H7P0601DL, H7P0601DS Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching REJ03G0044-0100Z Rev.1.00 Aug.05.2003 Features • Low on-resistance RDS(on) = 40 mΩ typ. • Low drive current • 4.5 V gate drive device can driven from 5 V source Outline DPAK-2 |
Renesas Technology |
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5962F9670601VEC | Radiation Hardened 4-Bit Synchronous Counter ACS161MS January 1996 Radiation Hardened 4-Bit Synchronous Counter Pinouts 16 PIN CERAMIC DUAL-IN-LINE MIL-STD-1835, DESIGNATOR CDIP2-T16, LEAD FINISH C TOP VIEW MR 1 CP 2 P0 3 P1 4 16 VCC 15 TC 14 Q0 13 Q1 12 Q2 11 Q3 10 TE 9 SPE Features • Devices QML Qualified in Accordan |
Intersil Corporation |
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5962F9670601VXC | Radiation Hardened 4-Bit Synchronous Counter |
Intersil Corporation |
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PTFA070601E | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs PTFA070601E PTFA070601F Confidential, Limited Internal Distribution Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 60 W, 725 – 770 MHz Description The PTFA070601E and PTFA070601F are 60-watt LDMOS FETs designed for cellular power amplifier applications in the 725 to 770 MHz band. |
Infineon |
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