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IRFZ34N 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Power Mosfet ( Transistor )의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
7 | IRFZ34N | N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor isc Product Specification IRFZ34N FEATURES ·Advanced Process Technology ·Dynamic dv/dt Rating ·175°C Operating Temperature ·Fast Switching ·Fully Avalanche Rated DESCRIPTION ·Designed for use in |
Inchange Semiconductor |
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6 | IRFZ34N | Power MOSFET ( Transistor ) PD -9.1276C IRFZ34N HEXFET® Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance l Dynamic dv/dt Rating l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l Ease of Paralleling Description l l D VDSS = 55V G S RDS(on) = 0.040Ω ID = 29A Fifth G |
International Rectifier |
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5 | IRFZ34NL | (IRFZ34NS/L) Power MOSFET PD - 9.1311A IRFZ34NS/L HEXFET® Power MOSFET l l l l l l Advanced Process Technology Surface Mount (IRFZ34NS) Low-profile through-hole (IRFZ34NL) 175°C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated D VDSS = 55V RDS(on) = 0.040Ω G ID = 29 |
International Rectifier |
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4 | IRFZ34NLPBF | Power MOSFET ( Transistor ) l Advanced Process Technology l Surface Mount (IRFZ34NS) l Low-profile through-hole (IRFZ34NL) l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated l Lead-Free G Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize adv |
International Rectifier |
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3 | IRFZ34NPBF | HEXFET Power MOSFET PD - 94807 IRFZ34NPbF HEXFET® Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175°C Operating Temperature Fast Switching Ease of Paralleling Lead-Free Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier ut |
International Rectifier |
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