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IRFZ48 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Power Mosfet ( Transistor )의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
21 | IRFZ48 | Power MOSFET ( Transistor ) IRFZ48, SiHFZ48 Vishay Siliconix Power MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) (Ω) Qg (Max.) (nC) Qgs (nC) Qgd (nC) Configuration VGS = 10 V 110 29 36 Single D FEATURES 60 0.018 • • • • • • • • Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rate |
Vishay |
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20 | IRFZ48L | Power MOSFET ( Transistor ) www.vishay.com IRFZ48S, IRFZ48L, SiHFZ48S, SiHFZ48L Vishay Siliconix Power MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) () Qg (Max.) (nC) Qgs (nC) Qgd (nC) Configuration 60 VGS = 10 V 110 29 36 Single 0.018 D I2PAK (TO-262) D2PAK (TO-263) FEATURES • |
Vishay |
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19 | IRFZ48N | Power MOSFET ( Transistor ) l Advanced Process Technology l Dynamic dv/dt Rating l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-r |
International Rectifier |
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18 | IRFZ48N | N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor Philips Semiconductors Product specification N-channel enhancement mode TrenchMOSTM transistor GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode standard level field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. The device feature |
NXP Semiconductors |
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17 | IRFZ48NL | (IRFZ48NL / IRFZ48NS) Advanced Process Technology PD - 9.1408B Advanced Process Technology Surface Mount (IRFZ48NS) l Low-profile through-hole (IRFZ48NL) l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated Description l l HEXFET® Power MOSFET D IRFZ48NS IRFZ48NL VDSS = 55V RDS(on) = 0. |
International Rectifier |
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