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IRLZ34N 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 N-channel Enhancement Mode LogIC Level의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
7 | IRLZ34N | N-channel Enhancement Mode Logic Level Trenchmos (tm) Transistor Philips Semiconductors Product specification N-channel enhancement mode Logic level TrenchMOSTM transistor GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode logic level field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ |
NXP Semiconductors |
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6 | IRLZ34N | 55V Single N-channel HexFET Power MOSFET in a TO-220AB Package PD - 9.1307B IRLZ34N HEXFET® Power MOSFET l l l l l l Logic-Level Gate Drive Advanced Process Technology Dynamic dv/dt Rating 175°C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated D VDSS = 55V G S RDS(on) = 0.035Ω ID = |
International Rectifier |
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5 | IRLZ34NL | 55V Single N-channel HexFET Power MOSFET in a TO-262 Package PD - 91308A IRLZ34NS/L l Logic-Level Gate Drive l Advanced Process Technology l Surface Mount (IRLZ34NS) l Low-profile through-hole (IRLZ34NL) l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated Description HEXFET® |
International Rectifier |
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4 | IRLZ34NLPBF | (IRLZ34NSPBF / IRLZ34NLPBF) Power MOSFET l l Logic-Level Gate Drive Advanced Process Technology l Surface Mount (IRLZ34NS) l Low-profile through-hole (IRLZ34NL) l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated l Lead-Free Description HEXFET Power MOSFET D |
International Rectifier |
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3 | IRLZ34NPBF | Power MOSFET ( Transistor ) PD - 94830 l l l l l l l Logic-Level Gate Drive Advanced Process Technology Dynamic dv/dt Rating 175°C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated Lead-Free HEXFET® Power MOSFET D IRLZ34NPbF VDSS = 55V G S RDS(on) = |
International Rectifier |
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