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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
1 | JCS2N60I | N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor R N 沟道增强型场效应晶体管 JCS2N60 U/I 产品特性 ◆600V,RDS=5.0 Ω@VGS=10V ◆低栅极电荷(典型值 12.5nC) ◆低 Crss(典型值 7.6pF) ◆开关速度快 ◆产品全部经过雪崩测试 ◆高抗 dv/dt 能力 主要用途 ◆高频开 |
JILIN SINO-MICROELECTRONICS |
관련 키워드 검색 결과 ( JCS2N60, 260 ) |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 | |
JCS2N60 | N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor
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ETC |
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JCS2N60 | N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS2N60 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 2.0 A VDSS 600 V Rdson(@Vgs=10V) 5 Ω Qg 15.3 nC 封装 Package 用途 高频开关电源 电子镇流器 LED 电源 APPLICATIONS High frequency switching m |
ETC |
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JCS2N60 | N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor |
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JCS2N60U | N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor R N 沟道增强型场效应晶体管 JCS2N60 U/I 产品特性 ◆600V,RDS=5.0 Ω@VGS=10V ◆低栅极电荷(典型值 12.5nC) ◆低 Crss(典型值 7.6pF) ◆开关速度快 ◆产品全部经过雪崩测试 ◆高抗 dv/dt 能力 主要用途 ◆高频开关电源 ◆电子� |
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