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JCS2N60I 데이터시트 PDF ( Data sheet )

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1 JCS2N60I   N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor

R N 沟道增强型场效应晶体管 JCS2N60 U/I 产品特性 ◆600V,RDS=5.0 Ω@VGS=10V ◆低栅极电荷(典型值 12.5nC) ◆低 Crss(典型值 7.6pF) ◆开关速度快 ◆产品全部经过雪崩测试 ◆高抗 dv/dt 能力 主要用途 ◆高频开

JILIN SINO-MICROELECTRONICS
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관련 키워드 검색 결과 ( JCS2N60, 260 )

부품번호 상세설명 및 기능 제조사 PDF
JCS2N60   N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor

ETC
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ETC 데이터시트 pdf
JCS2N60   N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor

N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS2N60 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 2.0 A VDSS 600 V Rdson(@Vgs=10V) 5 Ω Qg 15.3 nC 封装 Package 用途  高频开关电源  电子镇流器  LED 电源 APPLICATIONS  High frequency switching m

ETC
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JCS2N60   N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor

ETC
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ETC 데이터시트 pdf
JCS2N60U   N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor

R N 沟道增强型场效应晶体管 JCS2N60 U/I 产品特性 ◆600V,RDS=5.0 Ω@VGS=10V ◆低栅极电荷(典型值 12.5nC) ◆低 Crss(典型值 7.6pF) ◆开关速度快 ◆产品全部经过雪崩测试 ◆高抗 dv/dt 能力 主要用途 ◆高频开关电源 ◆电子�

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JILIN SINO-MICROELECTRONICS 데이터시트 pdf



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