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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
1 | JCS65N20ABT | N-CHANNEL MOSFET N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS65N20ABT 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID 65A VDSS 200 V Rdson(@Vgs=10V) 25mΩ Qg 120nc 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 APPLICATIONS High f |
JILIN SINO-MICROELECTRONICS |
관련 키워드 검색 결과 ( JCS65N20, 6520 ) |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 | |
JCS65N20T | N-CHANNEL MOSFET N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS65N20T 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID VDSS Rdson-max (@Vgs=10V) Qg-typ 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 65A 200 V 32mΩ 120nC APPLICATIONS High frequency sw |
JILIN SINO-MICROELECTRONICS |
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H2N6520 | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
Hi-Sincerity Mocroelectronics |
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2N6520 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR ISSUE 1 MARCH 94 FEATURES * 350 Volt VCEO * Gain of 15 at IC=-100mA 2N6520 C B ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Base Current Continuous Collector Current Powe |
Zetex Semiconductors |
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2N6520 | PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
Samsung semiconductor |
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