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Datasheet JCS7N60C Equivalent ( PDF ) |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | Category |
| 1 | JCS7N60C | N-CHANNEL MOSFET R
7A,600V,RDS=1.2 @VGS=10V
( 38nC)
Crss(
23pF)
dv/dt
*
:607A
VDSS ID T=25
IDM( 1)
VGSS EA S
2
IAR 1 EAR 1
dv/dt 3
PD TC=25
TJ TSTG TL
600 7.0 7.0* 4.4 4.4* 28 28*
±30 420 7.0 14.7 5.5 147 147 1.18 1.18
-55
300
V A
A A V mJ A mJ V/ns W W/
1/11
R JCS7N60C/D
BVD S S BVD S S/
IDSS
IG |  JilinSino | mosfet |
JCS Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | Catagory |
| 1 | JCS10N60CT | N-CHANNEL MOSFET N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET
JCS10N60T
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
ID 9.5 A VDSS 600 V Rdson（@Vgs=10V） 0.75Ω Qg 34 nC
用途
z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源
APPLICATIONS z High efficiency switch
mode power supplies z Elect  JILIN SINO-MICROELECTRONICS mosfet | | |
| 2 | JCS10N60FT | N-CHANNEL MOSFET N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET
JCS10N60T
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
ID 9.5 A VDSS 600 V Rdson（@Vgs=10V） 0.75Ω Qg 34 nC
用途
z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源
APPLICATIONS z High efficiency switch
mode power supplies z Elect JILIN SINO-MICROELECTRONICS mosfet | | |
| 3 | JCS10N60T | N-CHANNEL MOSFET N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET
JCS10N60T
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
ID 9.5 A VDSS 600 V Rdson（@Vgs=10V） 0.75Ω Qg 34 nC
用途
z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源
APPLICATIONS z High efficiency switch
mode power supplies z Elect JILIN SINO-MICROELECTRONICS mosfet | | |
| 4 | JCS10N65BT | N-CHANNEL MOSFET N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET
JCS10N65T
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
ID 9.5 A VDSS 650 V Rdson（@Vgs=10V） 0.95Ω Qg 34 nC
用途
z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源
APPLICATIONS z High frequency switching
mode power supply z Elect JILIN SINO-MICROELECTRONICS mosfet | | |
| 5 | JCS10N65CT | N-CHANNEL MOSFET N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET
JCS10N65T
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
ID 9.5 A VDSS 650 V Rdson（@Vgs=10V） 0.95Ω Qg 34 nC
用途
z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源
APPLICATIONS z High frequency switching
mode power supply z Elect JILIN SINO-MICROELECTRONICS mosfet | | |
| 6 | JCS10N65FT | N-CHANNEL MOSFET N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET
JCS10N65T
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
ID 9.5 A VDSS 650 V Rdson（@Vgs=10V） 0.95Ω Qg 34 nC
用途
z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源
APPLICATIONS z High frequency switching
mode power supply z Elect JILIN SINO-MICROELECTRONICS mosfet | | |
| 7 | JCS10N65ST | N-CHANNEL MOSFET N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET
JCS10N65T
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
ID 9.5 A VDSS 650 V Rdson（@Vgs=10V） 0.95Ω Qg 34 nC
用途
z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源
APPLICATIONS z High frequency switching
mode power supply z Elect JILIN SINO-MICROELECTRONICS mosfet | |
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| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
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