|
|
Datasheet K2737 Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | K2737 | MOSFET ( Transistor ) - 2SK2737 2SK2737
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
Features
• Low on-resistance RDS(on) = 10 mΩ typ.
• 4V gate drive devices. • High speed switching
Outline
TO–220CFM
ADE-208-533B(Z) 3rd. Edition Jun 1998
D
G
123
1. Gate
2. Drain
3. Source
S
2SK2737
Absolute Maximum Rat |
Hitachi Semiconductor |
K2 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
K2996 | MOSFET ( Transistor ) - 2SK2996 |
Toshiba Semiconductor |
|
K2611 | 9A, 900V, N-Channel MOSFET, 2SK2611 |
Toshiba Semiconductor |
|
K2545 | MOSFET ( Transistor ) - 2SK2545 |
Toshiba Semiconductor |
Esta página es del resultado de búsqueda del K2737. Si pulsa el resultado de búsqueda de K2737 se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Sitemap |