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Datasheet K2796 Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | K2796 | MOSFET ( Transistor ) - 2SK2796 2SK2796(L), 2SK2796(S)
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
Features
• Low on-resistance RDS(on) = 0.12Ω typ.
• 4V gate drive devices. • High speed switching
Outline
DPAK |1
D G
S
ADE-208-534C (Z) 4th. Edition Jun 1998
44
12 3
12 3
1. Gate 2. Drain 3. Source 4. Drain
2S |
Hitachi Semiconductor |
K2 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
K2996 | MOSFET ( Transistor ) - 2SK2996 |
Toshiba Semiconductor |
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K2611 | 9A, 900V, N-Channel MOSFET, 2SK2611 |
Toshiba Semiconductor |
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K2545 | MOSFET ( Transistor ) - 2SK2545 |
Toshiba Semiconductor |
Esta página es del resultado de búsqueda del K2796. Si pulsa el resultado de búsqueda de K2796 se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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