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K3673-01MR 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Mosfet ( Transistor ) -의 기능을 가지고 있습니다. |
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검색 결과 목록
| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
| 1 | K3673-01MR | MOSFET ( Transistor ) - 2SK3673-01MR 2SK3673-01MR FUJI POWER MOSFET 200304 N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Outline Drawings [mm] TO-220F Super FAP-G Series Features High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof Applications Switching regulators U |
 Fuji Electric |
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관련 키워드 검색 결과 ( K367301, 3673 ) |
| 부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 | |
| VS-1N3673A | Medium Power Silicon Rectifier Diodes www.vishay.com VS-1N1...A, VS-1N36..A Series Vishay Semiconductors Medium Power Silicon Rectifier Diodes, (Stud Version), 12 A DO-203AA (DO-4) PRODUCT SUMMARY IF(AV) Package Circuit configuration 12 A DO-203AA (DO-4) Single diode FEATURES • Voltage ratings from 50 V to 10 |
 Vishay |
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| 2SC3673 | Silicon NPN Epitaxial Type TRANSISTOR TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC3673 Switching Applications Solenoid Drive Applications 2SC3673 Unit: mm • High DC current gain : hFE = 500 (min) (IC = 400 mA) • Low collector-emitter saturation voltage : VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 300 mA) Absolute Maxi |
 Toshiba Semiconductor |
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| 1N3673 | Silicon-Power Rectifiers 1N 1199A ... 1N 1206A, 1N 3671, 1N 3673 PBY 271 ... PBY 277 Silicon-Power Rectifiers Nominal current – Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Metal case – Metallgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. Recommended mounting torque Empfohlenes |
 Diotec Semiconductor |
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| 1N3673A | Military Silicon Power Rectifier |
 Microsemi Corporation |
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