|
|
K3N5V1000F-DGC 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 16m-bit (2mx8 / 1mx16) Cmos의 기능을 가지고 있습니다. |
K3N5V1000F-DGC의 핀아웃 및 회로도를 보려면 검색 결과에 있는 PDF 아이콘을 클릭하세요. |
번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
1 | K3N5V1000F-DGC | 16M-Bit (2Mx8 / 1Mx16) CMOS Mask ROM K3N5V(U)1000F-D(G)C 16M-Bit (2Mx8 /1Mx16) CMOS MASK ROM FEATURES • Switchable organization 2,097,152 x 8(byte mode) 1,048,576 x 16(word mode) • Fast access time 3.3V Operation : 100ns(Max.)@CL=50pF, 120ns(Max.)@CL=100pF 3.0V Operation : 120ns(Max.)@CL=100p |
Samsung Semiconductor |
관련 키워드 검색 결과 ( K3N5V1000, 351000 ) |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 | |
K3N5V1000F-DC | 16M-Bit (2Mx8 / 1Mx16) CMOS Mask ROM K3N5V(U)1000F-D(G)C 16M-Bit (2Mx8 /1Mx16) CMOS MASK ROM FEATURES • Switchable organization 2,097,152 x 8(byte mode) 1,048,576 x 16(word mode) • Fast access time 3.3V Operation : 100ns(Max.)@CL=50pF, 120ns(Max.)@CL=100pF 3.0V Operation : 120ns(Max.)@CL=100pF • Supply voltage |
Samsung Semiconductor |
|
K3N5V1000D-TC | 16M-Bit (2M X 8 / 1M X 16) CMOS Mask ROM K3N5V(U)1000D-TC 16M-Bit (2Mx8 /1Mx16) CMOS MASK ROM FEATURES • Switchable organization 2,097,152 x 8(byte mode) 1,048,576 x 16(word mode) • Fast access time : 100ns(Max.) • Supply voltage : single +3.0V/ single +3.3V • Current consumption Operating : 40mA(Max.) Standby : |
Samsung Semiconductor |
|
TPSB335x0351000 | Low ESR ( DataSheet : ) TPS Series Low ESR TPS surface mount pr oducts have inherently low ESR (equivalent series r esistance) and ar e capable of higher ripple curr ent handling, producing lower ripple voltages, less power and heat dissipation than standard product |
AVX |
|
TPSC225x0351000 | Low ESR |
AVX |
페이지 링크 허용우리는 데이터시트를 무료로 제공하며, 이 페이지에 대한 링크도 허용합니다.검색결과에 표시되지 않는 내용은 수일내에 자동으로 업데이트 됩니다. |
당사의 고급 검색 기능을 사용하면 제조업체, 부품 번호 및 기타 주요 기준별로 |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 신규 | 사이트맵 : 1, 2 |