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Datasheet K80E08K3 Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | K80E08K3 | TK80E08K3 Target Specification
TK80E08K3
)
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U−MOS
TK80E08K3
E-Bike/UPS/Inverter
Unit: mm Low drain−source ON resistance High forward transfer admittance Low leakage current Enhancement mode : RDS (ON) = 7.5 mΩ (typ.) : |Yfs| = 135 S (typ.) : |
Toshiba |
K80E0 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
K80E08K3 | TK80E08K3 |
Toshiba |
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K80E07NE | TK80E07NE |
Toshiba |
Esta página es del resultado de búsqueda del K80E08K3. Si pulsa el resultado de búsqueda de K80E08K3 se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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