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KTB1366 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Triple Diffused PNP Transistor의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
3 | KTB1366 | PNP Transistor RoHS KTB1366 TO-220F KTB1366 TRANSISTOR (PNP) DFEATURES Power dissipation TPCM: 2 W (Tamb=25℃) .,LCollector current ICM: -3 Collector-base voltage A OV(BR)CBO: -60 V Operating and storage junction temperature range CTJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 1 |
WEJ |
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2 | KTB1366 | Silicon PNP Power Transistors INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor isc Product Specification KTB1366 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -60V(Min) ·Collector Power Dissipation- : PC= 25 W@ TC= 25℃ ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE( |
Inchange Semiconductor |
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1 | KTB1366 | TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA KTB1366 TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. FEATURES Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)=-1.0V(Max.) at IC=-2A, IB=-0.2A. Collector Power Dissipation : PC=25W (Tc=25 ) Complementary to KTD2058. MA |
KEC |
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