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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
1 | LTN141W1-L04 | Display Module www.DataSheet.co.kr Product Information Product Information SAMSUNG SAMSUNGTFT-LCD TFT-LCD MODEL MODEL NO. NO. :: LTN141W1-L04 LTN141W1-L04 LCD Product Planning Group 1, Marketing Team Samsung Electronics Co . , LTD. Doc.No. LTN141W1-L04 ISSUED DATE 03 |
Samsung |
관련 키워드 검색 결과 ( LTN141W1L04, 1411 ) |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 | |
PF01411 | MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM Handy Phone PF01411A MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM Handy Phone ADE-208-433C (Z) 4th Edition February 1997 Application • For E-GSM class4 880 to 915 MHz • For 4.8V nominal battery use Features • • • • High gain 3stage amplifier : 0 dBm input Lead less thin & Small pac |
Hitachi Semiconductor |
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PF01411A | MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM Handy Phone |
Hitachi Semiconductor |
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PF01411B | MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM Handy Phone PF01411B MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM Handy Phone ADE-208-434B (Z) 3rd Edition Nov. 1997 Application • For E-GSM class4 880 to 915 MHz • For 3.5 V nominal battery use Features • • • • High gain 3stage amplifier : 0 dBm input Lead less thin & Small packag |
Hitachi Semiconductor |
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2SB1411 | SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED TYPE TRANSISTOR TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type 2SB1411 Switching Applications Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications 2SB1411 Unit: mm • High DC current gain: hFE = 1500 (min) (VCE = −3 V, IC = −1 A) • Low saturation voltage: VCE (sat) = −1.5 V (max) (IC = |
Toshiba Semiconductor |
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