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M6G0412S 데이터시트 PDF ( Data sheet )

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번호 부품번호 상세설명 및 전자부품 기능 제조사 PDF
1 M6G0412S   SQUARE

M6 - SERIES 1 3/4" SQUARE 0.5 AMP @ 28 VDC SPECIFICATIONS AND ORDERING INFORMATION The M6 Series was originally designed to meet the requirements of MIL-S3786/40. Standard construction includes 30° indexing up to 12 positions, solder lug terminals, and adju

ELECTRO SWITCH
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관련 키워드 검색 결과 ( M6G0412, 60412 )

부품번호 상세설명 및 기능 제조사 PDF
RF2360412   LINEAR GENERAL PURPOSE AMPLIFIER

Preliminary 3 Typical Applications • CATV Distribution Amplifiers • Cable Modems • Broadband Gain Blocks • Laser Diode Driver • Return Channel Amplifier • Base Stations RF2360 LINEAR GENERAL PURPOSE AMPLIFIER 3 -A0.158 0.150 0.021 0.014 0.009 0.004 The RF2360 is a

RF Micro Devices
RF Micro Devices
RF Micro Devices 데이터시트 pdf
K4E160412D   4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

K4E170411D, K4E160411D K4E170412D, K4E160412D CMOS DRAM 4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out DESCRIPTION This is a family of 4.194,304 x 4 bit Extended Data Out CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of memory cells within the same row,

Samsung
Samsung
Samsung 데이터시트 pdf
K4E660412D   16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

K4E660412D,K4E640412D CMOS DRAM 16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out DESCRIPTION This is a family of 16,777,216 x 4 bit Extended Data Out Mode CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of memory cells within the same row. Refresh cycle(4K

Samsung
Samsung
Samsung 데이터시트 pdf
K4F160412D   4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode

K4F170411D, K4F160411D K4F170412D, K4F160412D CMOS DRAM 4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode DESCRIPTION This is a family of 4,194,304 x 4 bit Fast Page Mode CMOS DRAMs. Fast Page Mode offers high speed random access of memory cells within the same row. Power supply v

Samsung
Samsung
Samsung 데이터시트 pdf



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