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MDS3604 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 Single P-channel Trench Mosfet의 기능을 가지고 있습니다.


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번호 부품번호 상세설명 및 전자부품 기능 제조사 PDF
1 MDS3604   Single P-Channel Trench MOSFET

MDS3604– Single P-Channel Trench MOSFET, -30V, -11A, 12.1mΩ MDS3604 Single P-Channel Trench MOSFET, -30V, -11A, 12.1mΩ General Description The MDS3604 uses advanced MagnaChip’s MOSFET Technology to provide low on-state resistance. This device is suite

MagnaChip
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관련 키워드 검색 결과 ( MDS3604, 3604 )

부품번호 상세설명 및 기능 제조사 PDF
MDS3603   P-Channel Trench MOSFET

MDS3603– Single P-Channel Trench MOSFET MDS3603 Single P-Channel Trench MOSFET, -30V, -12A, 10.1mΩ General Description The MDS3603 uses advanced MagnaChip’s MOSFET Technology to provide low on-state resistance. This device is suited for Power Management and load switching

MagnaChip
MagnaChip
MagnaChip 데이터시트 pdf
MDV3604   P-Channel Trench MOSFET

MDV3604– Single P-Channel Trench MOSFET MDV3604 Single P-Channel Trench MOSFET, -30V, -20A, 12.1mΩ General Description The MDV3604 uses advanced MagnaChip’s MOSFET Technology to provide low on-state resistance. This device is suited for Power Management and load switching

MagnaChip
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MagnaChip 데이터시트 pdf
FDMS3604AS   MOSFET ( Transistor )

FDMS3604AS PowerTrench® Power Stage FDMS3604AS PowerTrench® Power Stage September 2011 30 V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET Features General Description Q1: N-Channel „ Max rDS(on) = 8 mΩ at VGS = 10 V, ID = 13 A „ Max rDS(on) = 11 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 11 A Q2: N-

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor 데이터시트 pdf
2SC3604   NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION

DATA SHEET SILICON TRANSISTOR 2SC3604 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION The 2SC3604 is an NPN epitaxial transistor designed for lownoise amplification at 1.0 to 6.0 GHz. This transistor has low-noise and high-gain characteristics in a wide

NEC
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NEC 데이터시트 pdf



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