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MEM4X16E43VTW-5 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 4 Meg X 16 Edo의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
1 | MEM4X16E43VTW-5 | 4 MEG x 16 EDO DRAM 4 MEG x 16 EDO DRAM EDO DRAM FEATURES • Single +3.3V ±0.3V power supply • Industry-standard x16 pinout, timing, functions, and package • 12 row, 10 column addresses (4) 13 row, 9 column addresses (8) • High-performance CMOS silicon-gate process • A |
ETC |
관련 키워드 검색 결과 ( MEM4X16E43VTW5, 41643 ) |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 | |
UPD44164365 | (UPD44164085/185/365) 18M-BIT DDRII SRAM SEPARATE I/O 2-WORD BURST OPERATION DATA SHEET MOS INTEGRATED CIRCUIT µPD44164085, 44164185, 44164365 18M-BIT DDRII SRAM SEPARATE I/O 2-WORD BURST OPERATION Description The µPD44164085 is a 2,097,152-word by 8-bit, the µPD44164185 is a 1,048,576-word by 18-bit and the µPD44164365 is a 524,288-word by 36-bit |
NEC |
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UPD44164362 | (UPD44164082/182/362) 18M-BIT DDRII SRAM 2-WORD BURST OPERATION DATA SHEET MOS INTEGRATED CIRCUIT µPD44164082, 44164182, 44164362 18M-BIT DDRII SRAM 2-WORD BURST OPERATION Description The µPD44164082 is a 2,097,152-word by 8-bit, the µPD44164182 is a 1,048,576-word by 18-bit and the µPD44164362 is a 524,288-word by 36-bit synchronous |
NEC |
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UPD44164364 | (UPD44164084/184/364) 18M-BIT DDRII SRAM 4-WORD BURST OPERATION DATA SHEET MOS INTEGRATED CIRCUIT µPD44164084, 44164184, 44164364 18M-BIT DDRII SRAM 4-WORD BURST OPERATION Description The µPD44164084 is a 2,097,152-word by 8-bit, the µPD44164184 is a 1,048,576-word by 18-bit and the µPD44164364 is a 524,288-word by 36-bit synchronous |
NEC |
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