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MGBR20V150C 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Dual Mos Gated Barrier Rectifier의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
1 | MGBR20V150C | DUAL MOS GATED BARRIER RECTIFIER UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MGBR20V150C DUAL MOS GATED BARRIER RECTIFIER DESCRIPTION Preliminary DIODE The UTC MGBR20V150C is a dua l mos gat ed barrier rectifiers, it uses UT C’s advanc ed tech nology to pro vide custom ers with lo w forward volta |
UNISONIC TECHNOLOGIES |
관련 키워드 검색 결과 ( MGBR20V150, 20150 ) |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 | |
TPSB227x0020150 | Low ESR ( DataSheet : ) TPS Series Low ESR TPS surface mount pr oducts have inherently low ESR (equivalent series r esistance) and ar e capable of higher ripple curr ent handling, producing lower ripple voltages, less power and heat dissipation than standard product |
AVX |
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TPSB157x0020150 | Low ESR |
AVX |
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MBRF20150CT | Schottky Barrier Rectifier ( Diode ) INCHANGE Semiconductor Schottky Barrier Rectifier Product Specification MBRF20150 FEATURES ·Low power loss, high efficiency. ·Multilayer Metal -Silicon Potential Structure. ·Beautiful High Temperature Character. ·Have Over Voltage protect loop,high reliability. MECHANICA |
Inchange Semiconductor |
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SBRF20150CT | Schottky Barrier Rectifiers Pb RoHS COMPLIANCE Preliminary SBRF2060CT - SBRF20200CT Isolation 20.0 AMPS. Schottky Barrier Rectifiers ITO-220AB Features Plastic material used carries Underwriters Laboratory Classifications 94V-0 Metal silicon junction, majority carrier conduction Low power loss, h |
Taiwan Semiconductor |
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