Datasheet MIP2E3DMY Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	MIP2E3DMY	Silicon MOS type integrated circuit (IPD) MIP2E3DMY MOS I 2.8±0.2 1.5±0.2 Unit : mm 10.5±0.5 9.5±0.2 8.0±0.2 6.7±0.3 • • 4.5±0.2 1.4±0.1 I 15.4±0.3 φ 3.7±0.2 I Ta = 25°C ± 3°C 13.5±0.5 4.2±0.3 Solder Dip 1.4±0.1 (9.3) 2.5±0.2 0.6 +0.1 –0.2 0.8±0.1 VD VC ID IDP IC Tch Tstg 700 10 1.15 1.60 0.1 150	Panasonic

MIP2E3 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
MIP2E3D	High-Performance IPD for Battery Chaegers I (MIP022X) IPD I G( 12 V/3 A : 100 VAC 0.3 W : 100 VAC G IPD (MIP022X) MIP022X G IPD IPD PWM 60 W : 1/20) ; 70 mW, ; 70 , 264 VAC 264 VAC ; 130 mW ; 60 IPD I MIP2E1D MIP2E2D MIP2E3D MIP2E4D MIP2E5D MIP2E7D ∼7W ∼ 10 W 10 W ∼ 20 W 15 W ∼ 30 W 20 W �	Matsushita
MIP2E3DMY	Silicon MOS type integrated circuit (IPD) MIP2E3DMY MOS I 2.8±0.2 1.5±0.2 Unit : mm 10.5±0.5 9.5±0.2 8.0±0.2 6.7±0.3 • • 4.5±0.2 1.4±0.1 I 15.4±0.3 φ 3.7±0.2 I Ta = 25°C ± 3°C 13.5±0.5 4.2±0.3 Solder Dip 1.4±0.1 (9.3) 2.5±0.2 0.6 +0.1 –0.2 0.8±0.1 VD VC ID IDP IC Tch Tstg 700 1	Panasonic
MIP2E3DMS	Silicon MOS-type integrated circuit インテリジェントパワーデバイス (IPD) MIP2E3DMS シリコン MOS 形集積回路  特　長  軽負荷時の消費電力を大幅に削減  各種保護回路機能内蔵によりリアルタイムの保護が可能  用　途  スイッチング�	Panasonic

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Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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