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Datasheet MTB50N10E3 Equivalent ( PDF ) |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| 1 | MTB50N10E3 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C893E3 Issued Date : 2016.06.01 Revised Date : Page No. : 1/8
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
MTB50N10E3
BVDSS
Features
• Low Gate Charge • Simple Drive Requirement
ID@VGS=10V, TC=25°C RDS(ON)@VGS=10V, ID=25A RDS(ON)@VGS=5V, ID=20A
• Repetit |
 Cystech Electonics |
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MTB50N1 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| MTB50N10E3 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
Cystech Electonics |
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| Esta página es del resultado de búsqueda del MTB50N10E3. Si pulsa el resultado de búsqueda de MTB50N10E3 se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
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[1]
nuevas actualizaciones
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
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