|
|
MTBA5N10V8 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 N-channel Enhancement Mode Power Mosfet의 기능을 가지고 있습니다. |
MTBA5N10V8의 핀아웃 및 회로도를 보려면 검색 결과에 있는 PDF 아이콘을 클릭하세요. |
번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
1 | MTBA5N10V8 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C731V8 Issued Date : 2012.08.24 Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTBA5N10V8 BVDSS ID RDSON(TYP) VGS=10V, ID=5A VGS=4.5V, ID=5A 100V 7A 133 mΩ 140 mΩ Description The |
CYStech |
관련 키워드 검색 결과 ( MTBA5N10V8, 5108 ) |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 | |
2N5108 | NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 2N5108 NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR DESCRIPTION: The 2N5108 is a Designed for General Purpose Class C Amplifier Applications Up to 1 GHz. PACKAGE STYLE TO-39 FEATURES: • GPE = 6.0 dB Typ. at 1.0 GHz • FT = 1,500 MHz Typ. at 15 V/ 50 mA • Hermetic TO-39 Package M |
Advanced Semiconductor |
|
GMS81C5108 | HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 8-BIT SINGLE-CHIP MICROCONTROLLERS |
Hynix Semiconductor |
|
GMS87C5108 | HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 8-BIT SINGLE-CHIP MICROCONTROLLERS |
Hynix Semiconductor |
|
CD510825 | Dual Diode POW-R-BLOK Modules 250 Amperes/800 Volts CD510825 Powerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272 Dual Diode POW-R-BLOK™ Modules 250 Amperes/800 Volts A J 1 (4 TYP.) 2 3 P - M8 THD (4 TYP.) 4 C H M L - DIA. (2 TYP.) F B E F B D G N E A CD510825 Dual Diode POW-R-BLOK™ Mod |
Powerex Power Semiconductors |
페이지 링크 허용우리는 데이터시트를 무료로 제공하며, 이 페이지에 대한 링크도 허용합니다.검색결과에 표시되지 않는 내용은 수일내에 자동으로 업데이트 됩니다. |
당사의 고급 검색 기능을 사용하면 제조업체, 부품 번호 및 기타 주요 기준별로 |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 신규 | 사이트맵 : 1, 2 |