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Datasheet MTBH0N25J3 Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | MTBH0N25J3 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C895J3 Issued Date : 2015.12.10 Revised Date : Page No. : 1/9
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
MTBH0N25J3 BVDSS ID@VGS=10V, TC=25°C
ID@VGS=10V, TA=25°C
RDSON(TYP)
VGS=10V, ID=3A VGS=4.5V, ID=2A
Features
• Low Gate Charge • Simple Drive Requir |
Cystech Electonics |
MTBH0N2 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
MTBH0N25J3 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
Cystech Electonics |
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MTBH0N25L3 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
Cystech Electonics |
Esta página es del resultado de búsqueda del MTBH0N25J3. Si pulsa el resultado de búsqueda de MTBH0N25J3 se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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