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MWI451-17E9 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Igbt Module의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
1 | MWI451-17E9 | IGBT Module MWI 451-17 E9 IGBT Modules Sixpack IC60 = 475 A VCES = 1700 V VCE(sat) typ = 2.25 V Preliminary data 2 46 phase-out IGBTs Symbol VCES VGES IC25 IC60 IC80 RBSOA tSC (SCSOA) Ptot 15 28 16 17 29 13 14 20 21 22 11/12 18 19 1 25 26 27 9/10 23 24 3 7/8 5 |
IXYS |
관련 키워드 검색 결과 ( MWI45117E9, 451 ) |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 | |
L6451 | 28 CHANNEL INK JET DRIVER L6451 28 CHANNEL INK JET DRIVER ADVANCE DATA 40V DMOS OUTPUT BREAKDOWN PRECISE OUTPUT ENERGY ESD OUTPUT PROTECTION WITH CLAMPING DIODES VERY LOW QUIESCENT CURRENT PLCC44 OR PQFP44 (10 x 10mm) MULTIPOWER BCD TECHNOLOGY DESCRIPTION The L6451 is realized in Multipower BCD Technol |
STMicroelectronics |
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PD45128163 | 128M-bit Synchronous DRAM 4-bank/ LVTTL DATA SHEET MOS INTEGRATED CIRCUIT µPD45128441, 45128841, 45128163 128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL Description The µPD45128441, 45128841, 45128163 are high-speed 134,217,728-bit synchronous dynamic random-access memories, organized as 8,388,608 × 4 × 4, 4,194,304 × |
Elpida Memory |
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PD45128163-I | 128M-bit Synchronous DRAM 4-bank/ LVTTL WTR (Wide Temperature Range) |
Elpida Memory |
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PD45128163-SU | 128M-bit Synchronous DRAM 4-bank/ LVTTL WTR (Wide Temperature Range) PRELIMINARY DATA SHEET MOS INTEGRATED CIRCUIT µPD45128163-SU 128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL WTR (Wide Temperature Range) Description The µPD45128163 are high-speed 134,217,728-bit synchronous dynamic random-access memories, organized as 2,097,152 × 16 × 4 (word × |
Elpida Memory |
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