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NDS9956A 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Dual N-channel Enhancement Mode Field의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
1 | NDS9956A | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor February 1996 NDS9956A Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high |
Fairchild |
관련 키워드 검색 결과 ( NDS9956, 9956 ) |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 | |
CEM9956A | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
Chino-Excel Technology |
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AD9956 | 2.7 GHz DDS-Based AgileRF 2.7 GHz DDS-Based AgileRFTM Synthesizer AD9956 FEATURES 400 MSPS internal DDS clock speed 48-bit frequency tuning word 14-bit programmable phase offset Integrated 14-bit DAC Excellent dynamic performance Phase noise ≤ 135 dBc/Hz @ 1 KHz offset −80 dB SFDR @ 160 MHz (±100 KHz |
Analog Devices |
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SI9956DY | N-channel enhancement mode field-effect transistor Si9956DY N-channel enhancement mode field-effect transistor M3D315 Rev. 01 — 16 July 2001 Product data 1. Description Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™1 technology. Product availability: Si9956DY in SOT96-1 (SO8 |
NXP Semiconductors |
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IRF9956 | Power MOSFET(Vdss=30V/ Rds(on)=0.10ohm) PD - 9.1559A PRELIMINARY l l l l l l IRF9956 HEXFET® Power MOSFET 8 Generation V Technology Ultra Low On-Resistance Dual N-Channel MOSFET Surface Mount Very Low Gate Charge and Switching Losses Fully Avalanche Rated S1 G1 S2 G2 1 D1 D1 D2 D2 2 7 VDSS = 30V RDS(on) = 0.1 |
International Rectifier |
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