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1 | NGTB30N120IHLWG | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) NGTB30N120IHLWG IGBT This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Field Stop (FS) Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on−state voltage and minimal |
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관련 키워드 검색 결과 ( NGTB30N120, 30120 ) |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 | |
NGTB30N120IHRWG | IGBT NGTB30N120IHRWG IGBT with Monolithic Free Wheeling Diode This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Field Stop (FS) Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on−state vo |
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NGTB30N120LWG | IGBT NGTB30N120LWG IGBT This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Field Stop (FS) Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications. Offering both low on−state voltage and minimal switching loss, the I |
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RU30120R | N-Channel Advanced Power MOSFET RU30120R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features • 30V/120A, RDS (ON) =2.5mΩ (Typ.) @ VGS=10V RDS (ON) =3.3mΩ (Typ.) @ VGS=4.5V • Super High Dense Cell Design • Ultra Low On-Resistance • 100% avalanche tested • Lead Free and Green Devices Available (RoHS Co |
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