|
|
P123 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Patented Gold Metallized SilICon Gate의 기능을 가지고 있습니다. |
P123의 핀아웃 및 회로도를 보려면 검색 결과에 있는 PDF 아이콘을 클릭하세요. |
번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
2 | P123 | PASSIVATED ASSEMBLED CIRCUIT ELEMENTS Bulletin I27125 rev. A 04/99 P100 SERIES PASSIVATED ASSEMBLED CIRCUIT ELEMENTS Features Glass passivated junctions for greater reliability Electrically isolated base plate Available up to 1200 V RRM, V DRM High dynamic characteristics Wide choice of circuit |
International Rectifier |
|
1 | P123 | PATENTED GOLD METALLIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR polyfet rf devices General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. "Polyfet" |
Polyfet RF Devices |
페이지 링크 허용우리는 데이터시트를 무료로 제공하며, 이 페이지에 대한 링크도 허용합니다.검색결과에 표시되지 않는 내용은 수일내에 자동으로 업데이트 됩니다. |
당사의 고급 검색 기능을 사용하면 제조업체, 부품 번호 및 기타 주요 기준별로 |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 신규 | 사이트맵 : 1, 2 |