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P123 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 Patented Gold Metallized SilICon Gate의 기능을 가지고 있습니다.


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검색 결과 목록

 
번호 부품번호 상세설명 및 전자부품 기능 제조사 PDF
2 P123   PASSIVATED ASSEMBLED CIRCUIT ELEMENTS

Bulletin I27125 rev. A 04/99 P100 SERIES PASSIVATED ASSEMBLED CIRCUIT ELEMENTS Features Glass passivated junctions for greater reliability Electrically isolated base plate Available up to 1200 V RRM, V DRM High dynamic characteristics Wide choice of circuit

International Rectifier
International Rectifier
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1 P123   PATENTED GOLD METALLIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

polyfet rf devices General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. "Polyfet"

Polyfet RF Devices
Polyfet RF Devices
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