P36NE06 데이터시트 PDF ( Data sheet )

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사	PDF
1	P36NE06	STP36NE06 ( DataSheet : ) ® STP36NE06 STP36NE06FP N - CHANNEL 60V - 0.032Ω - 36A - TO-220/TO-220FP STripFET™ POWER MOSFET TYPE STP36NE06 STP36NE06FP s s s s s V DSS 60 V 60 V R DS(on) < 0.040 Ω < 0.040 Ω ID 36 A 20	ST Microelectronics

관련 키워드 검색 결과 ( P36NE06, 3606 )

부품번호	상세설명 및 기능	제조사	PDF
8403606JA	2K x 8 Asynchronous CMOS Static RAM HM-65162 March 1997 2K x 8 Asynchronous CMOS Static RAM Description The HM-65162 is a CMOS 2048 x 8 Static Random Access Memory manufactured using the Intersil Advanced SAJI V process. The device utilizes asynchronous circuit design for fast cycle time and ease of use. The pinou	Intersil Corporation
8403606ZA	2K x 8 Asynchronous CMOS Static RAM	Intersil Corporation
2SC3606	Silicon NPN Epitaxial Planar Type Transistor TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC3606 2SC3606 VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit: mm · Low noise figure, high gain. · NF = 1.1dB, \|S21e\|2 = 11dB (f = 1 GHz) Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristics Collector-base voltage Collecto	Toshiba Semiconductor
FDMS3606AS	MOSFET ( Transistor ) FDMS3606AS PowerTrench® Power Stage FDMS3606AS PowerTrench® Power Stage September 2011 30 V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET Features General Description Q1: N-Channel Max rDS(on) = 8 mΩ at VGS = 10 V, ID = 13 A Max rDS(on) = 11 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 11 A Q2: N-	Fairchild Semiconductor

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