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P9006ESG 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 P-channel Enhancement Mode Mosfet의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
1 | P9006ESG | P-Channel Enhancement Mode MOSFET P9006ESG P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) -60V 90mΩ @VGS = 10V ID -18A TO-263 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS Drain-Source Voltage VDS -60 G |
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관련 키워드 검색 결과 ( P9006, 9006 ) |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 | |
P9006EVG | P-Channel Enhancement Mode MOSFET P9006EVG P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) -60V 90mΩ @VGS = -10V ID -4.5A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS Drain-Source Voltage VDS -60 Gate-Source Voltag |
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P9006EDG | P-Channel Enhancement Mode MOSFET P9006EDG P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) -60V 90mΩ @VGS = -10V ID -15A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS Drain-Source Voltage VDS -60 Gate-Source Voltage |
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P9006EL | P-Channel Enhancement Mode MOSFET P9006EL P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) -60V 90mΩ @VGS = 10V ID -4A SOT- 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS Gate-Source Voltage VGS ±20 Continuous Drain Curr |
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P9006ETF | P-Channel Enhancement Mode MOSFET P9006ETF P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) -60 90mΩ @VGS = 10V ID -15A TO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS Drain-Source Voltage VDS -60 Gate-Source Voltage V |
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