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Datasheet PXAC243502FV Equivalent ( PDF ) |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| 1 | PXAC243502FV | High Power RF LDMOS Field Effect Transistor PXAC243502FV
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 350 W, 28 V, 2300 – 2400 MHz
Description
The PXAC243502FV LDMOS FET is a 350-watt LDMOS FET designed for use in power amplifier applications in the 2300 MHz to 2400 MHz frequency band. Features include an asymmetric design with high gain |
 Infineon |
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PXAC24350 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| PXAC243502FV | High Power RF LDMOS Field Effect Transistor |
Infineon |
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nuevas actualizaciones
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
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