|
|
RGTH80TS65 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Field Stop Trench Igbt의 기능을 가지고 있습니다. |
RGTH80TS65의 핀아웃 및 회로도를 보려면 검색 결과에 있는 PDF 아이콘을 클릭하세요. |
번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
1 | RGTH80TS65 | Field Stop Trench IGBT RGTH80TS65 650V 40A Field Stop Trench IGBT Data Sheet VCES IC(100°C) VCE(sat) (Typ.) PD 650V 40A 1.6V 234W lFeatures 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage 2) High Speed Switching 3) Low Switching Loss & Soft Switching 4) Pb - free Lead Plating |
ROHM Semiconductor |
관련 키워드 검색 결과 ( RGTH80TS65, 8065 ) |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 | |
AD8065 | Op Amps Data Sheet FEATURES Qualified for automotive applications FET input amplifier 1 pA input bias current Low cost High speed: 145 MHz, −3 dB bandwidth (G = +1) 180 V/µs slew rate (G = +2) Low noise 7 nV/√Hz (f = 10 kHz) 0.6 fA/√Hz (f = 10 kHz) Wide supply voltage range: 5 V t |
Analog Devices |
|
TMS320F28065 | TMS320F2806x Piccolo Microcontrollers (Rev. F) |
Texas Instruments |
|
APT8065 | Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. APT8065AVR 800V 11.5A 0.650Ω POWER MOS V ® Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster sw |
Advanced Power Technology |
|
APT8065 | Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
Advanced Power Technology |
페이지 링크 허용우리는 데이터시트를 무료로 제공하며, 이 페이지에 대한 링크도 허용합니다.검색결과에 표시되지 않는 내용은 수일내에 자동으로 업데이트 됩니다. |
당사의 고급 검색 기능을 사용하면 제조업체, 부품 번호 및 기타 주요 기준별로 |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 신규 | 사이트맵 : 1, 2 |