Datasheet RJP56F4 Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	RJP56F4	IGBT IGBT 430V/200A Número de parte: RJP56F4 Descripción: Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT), es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. El transistor IGBT es adecuado para velocidades de conmutación de hast	AG Electronica

RJP5 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

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RJP56F4	IGBT IGBT 430V/200A Número de parte: RJP56F4 Descripción: Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT), es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. El transistor IGBT es adecuado para velocidades de	AG Electronica
RJP5001APP	Nch IGBT RJP5001APP Nch IGBT for Strobe Flash REJ03G1710-0100 Rev.1.00 Jul 03, 2008 Features • VCES : 500 V • TO-220FN package • High Speed Switching Outline RENESAS Package code: PRSS0003AB-A (Package name: TO-220FN) 2 1 1 : Gate 2 : Collector 3 : Emitter 1 2 3 3 Applicatio	Renesas Technology

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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