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RJP60V0DPM 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 N-channel Igbt의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
2 | RJP60V0DPM | N-Channel IGBT Preliminary Datasheet RJP60V0DPM 600V - 22A - IGBT Application: Inverter Features High breakdown-voltage Low Collector to Emitter saturation Voltage VCE(sat) = 1.5 V typ. (at IC = 22 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) Short circuit withstand time (6 s |
Renesas |
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1 | RJP60V0DPM-80 | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) RJP60V0DPM-80 600V - 22A - IGBT Application: Inverter Features • High breakdown-voltage • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.5 V typ. (at IC = 22 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Short circuit withstand time (6 μs typ.) • Trench gate |
Renesas |
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