Datasheet RQA0001DNS Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	RQA0001DNS	Silicon N-Channel MOS FET RQA0001DNS Silicon N-Channel MOS FET REJ03G0582-0300 Rev.3.00 Oct 11, 2006 Features • High Output Power, High Gain, High Efficiency Pout = +33 dBm, Linear Gain = 21 dB, PAE = 68% (f = 520 MHz) • Small Outline Package (WSON0303-2: 3.0 × 3.0 × 0.8mm) Outline RENESAS Packag	Renesas Technology

RQA0001 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
RQA0001DNS	Silicon N-Channel MOS FET RQA0001DNS Silicon N-Channel MOS FET REJ03G0582-0300 Rev.3.00 Oct 11, 2006 Features • High Output Power, High Gain, High Efficiency Pout = +33 dBm, Linear Gain = 21 dB, PAE = 68% (f = 520 MHz) • Small Outline Package (WSON0303-2: 3.0 × 3.0 × 0.8mm) Ou	Renesas Technology

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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