Datasheet RQA0008NXAQS Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	RQA0008NXAQS	Silicon N-Channel MOS FET RQA0008NXAQS Silicon N-Channel MOS FET REJ03G1569-0100 Rev.1.00 Jul 04, 2007 Features • High Output Power, High Gain, High Efficiency Pout = +36 dBm, Linear Gain = 18 dB, PAE = 65% (f = 520 MHz) • Compact package capable of surface mounting Outline RENESAS Package code: PL	Renesas Technology

RQA0008NX Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
RQA0008NXAQS	Silicon N-Channel MOS FET RQA0008NXAQS Silicon N-Channel MOS FET REJ03G1569-0100 Rev.1.00 Jul 04, 2007 Features • High Output Power, High Gain, High Efficiency Pout = +36 dBm, Linear Gain = 18 dB, PAE = 65% (f = 520 MHz) • Compact package capable of surface mounting Outline RENE	Renesas Technology

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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