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Datasheet RQA0009SXAQS Equivalent ( PDF ) |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| 1 | RQA0009SXAQS | Silicon N-Channel MOS FET
RQA0009SXAQS
Silicon N-Channel MOS FET
REJ03G1566-0100 Rev.1.00 Jul 04, 2007
Features
• High Output Power, High Gain, High Efficiency Pout = +37.8 dBm, Linear Gain = 18 dB, PAE = 65% (VDS = 6 V, f = 520 MHz) • Compact package capable of surface mounting • Electrostatic Di |
 Renesas Technology |
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RQA0009SX Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| RQA0009SXAQS | Silicon N-Channel MOS FET |
Renesas Technology |
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nuevas actualizaciones
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
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