Datasheet RQJ0202VGDQA Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	RQJ0202VGDQA	Silicon P Channel MOS FET Power Switching Preliminary Datasheet RQJ0202VGDQA Silicon P Channel MOS FET Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 83 mΩ typ (VGS = –4.5 V, ID = –1.4 A) • Low drive current • High speed switching • 2.5 V gate drive R07DS0291EJ0500 Rev.5.00 Jan 10, 2014 Outline RENESAS Package code: P	Renesas

RQJ0202VG Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
RQJ0202VGDQA	Silicon P Channel MOS FET Power Switching Preliminary Datasheet RQJ0202VGDQA Silicon P Channel MOS FET Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 83 mΩ typ (VGS = –4.5 V, ID = –1.4 A) • Low drive current • High speed switching • 2.5 V gate drive R07DS0291EJ0500 Rev.5.00 Jan 10, 2014 Outline REN	Renesas

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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