Datasheet RQJ0602EGDQS Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	RQJ0602EGDQS	Silicon P-Channel MOS FET RQJ0602EGDQS Silicon P Channel MOS FET Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 485 mΩ typ (VGS = –10 V, ID = –0.75 A) • Low drive current • High speed switching • 4.5 V gate drive Outline RENESAS package code: PLZZ0004CA-A (Package name: UPAK R ) 1 2 3 4 Note: Marking is	Renesas

RQJ0602EG Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
RQJ0602EGDQS	Silicon P-Channel MOS FET RQJ0602EGDQS Silicon P Channel MOS FET Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 485 mΩ typ (VGS = –10 V, ID = –0.75 A) • Low drive current • High speed switching • 4.5 V gate drive Outline RENESAS package code: PLZZ0004CA-A (Package name: UPAK R ) 1 2	Renesas
RQJ0602EGDQA	Silicon P-Channel MOS FET RQJ0602EGDQA Silicon P Channel MOS FET Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 490 mΩ typ (VGS = –10 V, ID = –0.55 A) • Low drive current • High speed switching • 4.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A (Package name: MPAK) 3 1 2 No	Renesas

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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