Datasheet RQK0603CGDQA Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	RQK0603CGDQA	Silicon N-Channel MOS FET RQK0603CGDQA Silicon N Channel MOS FET Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 212 mΩ typ (VGS = 10 V, ID = 1 A) • Low drive current • High speed switching • 4.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A (Package name: MPAK) 3 1 2 Note: Marking is “CG”. Pre	Renesas

RQK0603CG Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
RQK0603CGDQS	Silicon N-Channel MOS FET RQK0603CGDQS Silicon N Channel MOS FET Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 205 mΩ typ (VGS = 10 V, ID = 1.4 A) • Low drive current • High speed switching • 4.5 V gate drive Outline RENESAS package code: PLZZ0004CA-A (Package name: UPAK R ) 1 2 3 4 Not	Renesas
RQK0603CGDQA	Silicon N-Channel MOS FET RQK0603CGDQA Silicon N Channel MOS FET Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 212 mΩ typ (VGS = 10 V, ID = 1 A) • Low drive current • High speed switching • 4.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A (Package name: MPAK) 3 1 2 Note: Marki	Renesas

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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