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RQK0609CQDQS 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 SilICon N-channel Mos Fet의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
1 | RQK0609CQDQS | Silicon N-Channel MOS FET RQK0609CQDQS Silicon N Channel MOS FET Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 78 mΩ typ.(at VGS = 4.5 V, ID = 2 A) • Low drive current • High speed switching • VDSS : 60 V and capable of 2.5 V gate drive Outline RENESAS package code: |
Renesas |
관련 키워드 검색 결과 ( RQK0609, 0609 ) |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 | |
TPSS226x0060900 | Low ESR ( DataSheet : ) TPS Series Low ESR TPS surface mount pr oducts have inherently low ESR (equivalent series r esistance) and ar e capable of higher ripple curr ent handling, producing lower ripple voltages, less power and heat dissipation than standard product |
AVX |
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TPSA226x0060900 | Low ESR |
AVX |
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ASI10609 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF220-28 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI HF220-28 is Designed for PACKAGE STYLE .500 4L FLG .112x45° A FULL R L FEATURES: • PG = 12 dB min. at 220 W/30 MHz • IMD3 = -30 dBc max. at 220 W (PEP) • Omnigold™ Metalization System C B E C Ø.125 NOM. |
Advanced Semiconductor |
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R7200609 | General Purpose Rectifier (600-1200 Amperes Average 4400 Volts) |
Powerex Power Semiconductors |
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