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SSY5829P 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 P-channel Enhancement Mosfet의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
1 | SSY5829P | P-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente SSY5829P -2.5 A, -20 V, RDS(ON) 0.110 P-Channel Enhancement MOSFET With Schottky Diode RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free DESCRIPTION The miniature surface mount MOSFETs utilize a high cel |
SeCoS |
관련 키워드 검색 결과 ( SSY5829, 5829 ) |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 | |
1N5829 | 25 Amp Schottky Barrier Rectifier 20 to 35 Volts MCC Features • • • • omponents 21201 Itasca Street Chatsworth !"# $ % !"# 1N5829 thru 1N5831 25 Amp Schottky Barrier Rectifier 20 to 35 Volts DO-4 B Metal of siliconrectifier, majonty carrier conducton Guard |
Micro Commercial Components |
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1N5829 | 25 Amp Schottky Rectifier |
Microsemi Corporation |
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HUF75829D3 | 18A/ 150V/ 0.110 Ohm/ N-Channel/ UltraFET Power MOSFET HUF75831SK8 Data Sheet December 2001 3A, 150V, 0.095 Ohm, N-Channel, UltraFET® Power MOSFET Packaging JEDEC MS-012AA BRANDING DASH Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.095Ω, VGS = 10V 5 1 2 3 4 • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABE |
Fairchild Semiconductor |
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HUF75829D3 | 18A/ 150V/ 0.110 Ohm/ N-Channel/ UltraFET Power MOSFET HUF75842P3, HUF75842S3S Data Sheet December 2001 43A, 150V, 0.042 Ohm, N-Channel, UltraFET® Power MOSFET Packaging JEDEC TO-220AB SOURCE DRAIN GATE GATE SOURCE DRAIN (FLANGE) JEDEC TO-263AB Features DRAIN (FLANGE) • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.042Ω, VGS = 10V |
Intersil Corporation |
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