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U821B 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Power Amplifier 1w의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
1 | U821B | Power Amplifier 1W Baza Porad Serwisowych U821B Power amplifier 1 W VCCmax PO ICC0typ Gain RIN 16 V 1W 7.5 mA 40 dB 800kW VCCtyp RL ICC0max Noise Case 9V 8W 12 mA 2.5 mV DIP8 VCCrng THD Imax Rthj-c 3÷16 V 10 % 0.85 A 100 °C/W +Vcc 100µ 0.1µ In 3 6 U821B 47k 2 4 + 5 8 |
ETC |
관련 키워드 검색 결과 ( U821, 821 ) |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 | |
10D821K | VARISTOR SPECIFICATIONS PRODUCT: TYPE: MODEL: CITATION: REVISION: TOTAL PAGES: RELEASED DATE: VARISTOR GNR10D□□□K B01 5 Oct. 13, 2001 PAGE:1/5 REVISION HISTORY NO 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 REV. DATE Oct. 13, 2001 DCR NO. DESCRIPTION OF CHANGE NEW RELEASE REV. B01 |
Ceramate Technical |
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L8821P | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR polyfet rf devices L8821P General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Militry Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. "Polyfet" process featur |
Polyfet RF Devices |
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L9821 | HIGH SIDE DRIVER L9821 HIGH SIDE DRIVER . . . . . . 25A PEAK OUTPUT CURRENT RON = 100mΩ DIAGNOSTIC AND PROTECTION FUNCTIONS µP COMPATIBLE GROUNDED CASE INRUSH CURRENT LIMITING CIRCUIT MULTIPOWER BCD TECHNOLOGY DESCRIPTION The L9821 High Side Driver realized with Multipower - BCD mixed tech |
STMicroelectronics |
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P8212 | Light emitting/receiving module |
Hamamatsu Corporation |
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